УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ РОССИЙСКОГО ПРОИЗВОДСТВА
СИДМЭЛ SAME200A
СИДМЭЛ SAME200A - установка микроволнового плазмохимического травления. Позволяет травить диэлектрики (оксид кремния) и различные полимеры (резисты, полиимиды, эпоксидные смолы). Подойдет для НИОКР-лабораторий, опытных и мелкосерийных производств.
Преимущества установки
Установка СИДМЭЛ SAME200A отвечает современным российским ГОСТам: ГОСТ МЭК 60204-1-2007, ГОСТ 30804.6.1-2013 (IEC 61000-6-1:2005), ГОСТ 30804.6.3-2013 (IEC 61000-6-3:2006).
Программное обеспечение имеет простую и понятную логику. Обучение работе на установке не требует длительного времени.
Программное обеспечение имеет простую и понятную логику. Обучение работе на установке не требует длительного времени.
Вернуться назад
Особенности установки
Установка СИДМЭЛ SAME200A разработана для исследований в области микроэлектроники. Важную роль в конструкции занимают безопасность использования и удобный функционал, обеспечивающий надежный, управляемый процесс травления.
- Контролируемый, повторяемый процесс
- Управление мощностью источника;
- Точный контроль подачи газов;
- История аварийных сообщений,
- Контроль рецептов в процессе работы;
- Запись параметров процессов.
- Простота управления, использования, обслуживания
- Сенсорный экран;
- Сохранение рецептов травления;
- Простой и понятный интерфейс;
- Эргономичный дизайн;
- Подстройка дисплея;
- Управление на ПК с Windows на руccком языке.
- Безопасность
- Отсутствие опасных химикатов;
- Более экологичный метод по сравнению с кислотным травлением;
- Не требуют специальных средств индивидуальной защиты.
- Широкий спектр применения
- Работа с широким спектром пластиковых корпусов;
- Единственное решение для серебряных разварочных выводов;
- Травление образцов со всеми типами проводов.
Преимущества применения
Обеспечивает безопасное и надежное травление различных пластиковых корпусов с любыми типами проволочных соединений
МАТЕРИАЛЫ ТРАВЛЕНИЯ
- ОКСИД КРЕМНИЯ
- РЕЗИСТЫ
- ПОЛИИМИДЫ
- ЭПОКСИДНЫЕ СМОЛЫ
ПРОВОЛОЧНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
- ЗОЛОТЫЕ
- МЕДНЫЕ
- СЕРЕБРЯНЫЕ
Технические характеристики
Основной блок, (ВхШхГ) мм - 1320 х 580 х 580 мм;
Реакционная камера - диаметр 150 мм, 100 мм;
Максимальные размеры образца - диаметр 30 мм, высота 10 мм;
Область травления (по центру) - 15мм х 15мм.
Регулировка высоты рабочего столика: 25 мм
Быстросъемное цанговое соединение 6 мм для сжатого воздуха
Быстросъемное цанговое соединение 8 мм для воды
Соединение для газов: трубный обжимной фитинг из нерж. стали
Заземление: шпилька М6
Тип вакуумного датчика: емкостной
Реакционная камера - диаметр 150 мм, 100 мм;
Максимальные размеры образца - диаметр 30 мм, высота 10 мм;
Область травления (по центру) - 15мм х 15мм.
Регулировка высоты рабочего столика: 25 мм
Быстросъемное цанговое соединение 6 мм для сжатого воздуха
Быстросъемное цанговое соединение 8 мм для воды
Соединение для газов: трубный обжимной фитинг из нерж. стали
Заземление: шпилька М6
Тип вакуумного датчика: емкостной
Питание установки - 220 В, 1ф, 50/60Гц, 6А.
Энергопотребление - 1.5 кВт при максимальной мощности
Энергопотребление - 1.5 кВт при максимальной мощности
Ar, регулировка расхода газа - 0-200 ст. см3/мин
O2, регулировка расхода газа - 0-100 ст. см3/мин
N2, регулировка расхода газа - 0-50 ст. см3/мин
CF4, регулировка расхода газа - 0-50 ст. см3/мин
Сжатый воздух: 5.5 бар, расход 50 л в минуту
Возможность регулировки потоков газов при постановке рецептов в указанных диапазонах
O2, регулировка расхода газа - 0-100 ст. см3/мин
N2, регулировка расхода газа - 0-50 ст. см3/мин
CF4, регулировка расхода газа - 0-50 ст. см3/мин
Сжатый воздух: 5.5 бар, расход 50 л в минуту
Возможность регулировки потоков газов при постановке рецептов в указанных диапазонах
Мощность (регулируемая) - 0-200 Вт;
Частота - 2.4 – 2.5 ГГц;
Удаленное управление генератором - есть.
СВЧ-источник с плазменной струей
Автоматическое согласование генератора с источником плазмы
Частота - 2.4 – 2.5 ГГц;
Удаленное управление генератором - есть.
СВЧ-источник с плазменной струей
Автоматическое согласование генератора с источником плазмы
Тип источника: Surface Wave plasma source;
Типы материалов для травления: диэлектрики: оксид кремния; полимеры: резисты, полиимиды, эпоксидные смолы;
Время травления: определяется пользователем;
Скорость травления: от 10 мкм/мин;
Количество запрограммированных рецептов: возможность создавать собственные рецепты травления; количество не ограничено;
Материалы разварочных выводов микросхем с гарантированным отсутствием повреждений при проведении процессов вскрытия пластиковых корпусов микросхем: медь, серебро, золото;
Сохраняется работоспособность образцов интегральных схем после удаления пластикового корпуса (с выходом годных не менее 50% из выборки в 10 образцов);
Методические материалы для проведения процессов травления для микросхем с медными, серебряными и золотыми разварочными выводами с подтверждением работоспособности;
Температура внутри камеры во время проведения процессов плазмохимического травления корпусов интегральных микросхем: в диапазоне от 30°С до 150°С;
Имеется возможность проведения процессов плазмохимического травления для вскрытия пластиковых корпусов интегральных схем при атмосферном давлении внутри процессной камеры.
Типы материалов для травления: диэлектрики: оксид кремния; полимеры: резисты, полиимиды, эпоксидные смолы;
Время травления: определяется пользователем;
Скорость травления: от 10 мкм/мин;
Количество запрограммированных рецептов: возможность создавать собственные рецепты травления; количество не ограничено;
Материалы разварочных выводов микросхем с гарантированным отсутствием повреждений при проведении процессов вскрытия пластиковых корпусов микросхем: медь, серебро, золото;
Сохраняется работоспособность образцов интегральных схем после удаления пластикового корпуса (с выходом годных не менее 50% из выборки в 10 образцов);
Методические материалы для проведения процессов травления для микросхем с медными, серебряными и золотыми разварочными выводами с подтверждением работоспособности;
Температура внутри камеры во время проведения процессов плазмохимического травления корпусов интегральных микросхем: в диапазоне от 30°С до 150°С;
Имеется возможность проведения процессов плазмохимического травления для вскрытия пластиковых корпусов интегральных схем при атмосферном давлении внутри процессной камеры.
Сенсорный русскоязычный интерфейс на основе тачскрина
Операционная система Windows 10
Мнемоническая вакуумная и газовая схемы
Операционная система Windows 10
Мнемоническая вакуумная и газовая схемы
Система экстренного отключения, кнопка расположена на передней панели корпуса системы.
Источник плазмы имеет водяное охлаждение с рециркуляционной охладительной системой;
Опционально, предусмотрена система водяного и воздушного охлаждения.
Опционально, предусмотрена система водяного и воздушного охлаждения.
Тип загрузки камеры | Открытая |
Вакуумная камера | Алюминиевая, цилиндрического типа |
Подъем крышки вакуумной камеры | Пневматический, вертикальный |
Другие услуги
Помимо производства установок плазмохимического травления, компания занимается исследованиями в микроэлектронике и разрабатывает сопутствующее оборудование для исследовательских целей.